FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 3.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：660pF @ 10V

功率 - 最大值：5W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：15-SIP

供应商器件封装：15-SIP

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs